型号:MT16HTF12864AY-80ED4 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:240-DIMM | 描述:MODULE DDR2 1GB 240-DIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR2 1GB 240-DIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR2 SDRAM |
存储容量 | 1GB |
速度 | 800MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 240-DIMM |
供应商
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD | 刘先生13910052844(微信同步) |
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MT16HTF12864AY-80ED4相关型号
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19-SMD
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805(2012 公制)
RES 95.3K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- MUN2111T1G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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芯片电阻 - 表面安装
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0201(0603 公制)
RES 6.2K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
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存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
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端子 - 快速连接,快速断连
3M
19-SMD
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 2.2 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MCR10EZHF95R3
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805(2012 公制)
RES 95.3 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- MT16HTF12864AY-667D4
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- MCR006YZPJ625
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0201(0603 公制)
RES 6.2M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- MUN2113T1G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
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端子 - 环形
3M
19-SMD
CONN RING INSUL 22-18 AWG #6
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 2.7 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MCR10EZHF9760
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805(2012 公制)
RES 976 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- MT16HTF12864AY-800D1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- MCR006YZPJ680
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0201(0603 公制)
RES 68 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- MUN2131T1G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
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TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
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端子 - 环形
3M
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CONN RING INSUL 22-18AWG 100PC
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 30 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MCR10EZHFL2R20
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805(2012 公制)
RES 2.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0201(0603 公制)
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Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
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径向,Can - SMD
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晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- MCR006YZPJ750
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0201(0603 公制)
RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- MVY10VC33RME55TP
电容器
United Chemi-Con
径向,Can - SMD
CAP ALUM 33UF 10V 20% SMD
- MCR18EZPJ390
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 39 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MCR006YZPJ751
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0201(0603 公制)
RES 750 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- MUN2212T1G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
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Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MVY10VE682MM22TR
电容器
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径向,Can - SMD
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制)
RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- MCR006YZPJ752
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0201(0603 公制)
RES 7.5K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- MUN2213T1
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805(2012 公制)
RES 2.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- MT16HTF12864HY-40ED3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR2 1GB 200SODIMM
- MCR18EZPJ430
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1206(3216 公制)
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